发明名称 |
封装基板制作方法 |
摘要 |
本发明公开了一种封装基板制作方法,包括步骤:准备内层芯板并制作芯板层图形;在内层芯板表面依次设置第一半固化片和铜层;采用改进型半加成法在铜层上制作中间层线路图形,保留中间层线路图形以外区域的底铜;在台阶槽区域覆盖抗蚀刻保护层,将台阶槽以外区域的底铜蚀刻去除,保留台阶槽区域的底铜;去除台阶槽区域的抗蚀刻保护层,通过层压方式压合第二半固化片并制作外层线路图形;通过激光切割去除台阶槽区域的第二半固化片形成台阶;将台阶区域未被线路图形覆盖的底铜蚀刻掉。该制作方法加工难度小,加工精度高,即使对于开槽较小的封装基板也可适用。 |
申请公布号 |
CN103187311B |
申请公布日期 |
2016.02.03 |
申请号 |
CN201110443964.X |
申请日期 |
2011.12.27 |
申请人 |
深南电路有限公司 |
发明人 |
冯锡明;谷新;丁鲲鹏;彭勤卫;孔令文 |
分类号 |
H01L21/48(2006.01)I;H05K3/46(2006.01)I |
主分类号 |
H01L21/48(2006.01)I |
代理机构 |
深圳市博锐专利事务所 44275 |
代理人 |
张明 |
主权项 |
一种封装基板制作方法,其特征在于,包括步骤:S101:准备内层芯板并制作出芯板层线路,该内层芯板包括第一表面及与该第一表面相背的第二表面;S102:在内层芯板的第一表面和/或第二表面分别依次设置第一半固化片和铜层,所述铜层通过沉铜方式或铜箔压合方式形成;S103:采用改进型半加成法在铜层上制作中间层线路图形,并保留中间层线路图形以外区域的底铜;S104:在台阶槽区域覆盖抗蚀刻保护层,将台阶槽以外区域的底铜蚀刻去除,保留台阶槽区域的底铜;S105:去除台阶槽区域的抗蚀刻保护层,层压设置第二半固化片并制作外层图形;S106:通过激光切割去除台阶槽区域的第二半固化片形成台阶;S107:将台阶区域未被线路图形覆盖处的底铜蚀刻掉。 |
地址 |
518053 广东省深圳市南山区侨城东路99号 |