| 发明名称 | 薄膜晶体管阵列基板的制作方法 | ||
| 摘要 | 一种薄膜晶体管阵列基板的制作方法，包括如下步骤：在衬底基板上制作图案化的栅极；在该栅极上先后形成栅极绝缘层和半导体层两层薄膜，其中该栅极绝缘层覆盖在该栅极上，该半导体层覆盖在该栅极绝缘层上；在该半导体层上通过非刻蚀方法制作源极和漏极，该源极和该漏极之间彼此分开形成开口；在该源极和该漏极上制作图案化的封装层，该封装层仅覆盖在该源极和该漏极上，并且该封装层填入该源极和该漏极之间的该开口中；在薄膜晶体管的沟道区被该封装层覆盖保护的前提下，去除薄膜晶体管区域以外的该半导体层的材料，仅在薄膜晶体管区域留下该半导体层；以及在此基础上再进行后续膜层的制作。 | ||
| 申请公布号 | CN105304639A | 申请公布日期 | 2016.02.03 |
| 申请号 | CN201510607277.5 | 申请日期 | 2015.09.22 |
| 申请人 | 昆山龙腾光电有限公司;上海交通大学 | 发明人 | 郭小军;李思莹;黄钰坤 |
| 分类号 | H01L27/12(2006.01)I;H01L21/77(2006.01)I | 主分类号 | H01L27/12(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海波拓知识产权代理有限公司 31264 | 代理人 | 蔡光仟 |
| 主权项 | 一种薄膜晶体管阵列基板的制作方法，其特征在于，该制作方法包括如下步骤：在衬底基板(101)上制作图案化的栅极(102)；在该栅极(102)上先后形成栅极绝缘层(103)和半导体层(104)两层薄膜，其中该栅极绝缘层(103)覆盖在该栅极(102)上，该半导体层(104)覆盖在该栅极绝缘层(103)上；在该半导体层(104)上通过非刻蚀方法同时制作源极(105)和漏极(106)，该源极(105)和该漏极(106)之间彼此分开形成开口(107)；在该源极(105)和该漏极(106)上制作图案化的封装层(108)，该封装层(108)仅覆盖在该源极(105)和该漏极(106)上，并且该封装层(108)填入该源极(105)和该漏极(106)之间的该开口(107)中；在薄膜晶体管的沟道区被该封装层(108)覆盖保护的前提下，去除薄膜晶体管区域以外的该半导体层(104)的材料，仅在薄膜晶体管区域留下该半导体层(104)；以及在此基础上再进行后续膜层的制作。 | ||
| 地址 | 215301 江苏省苏州市昆山市龙腾路1号 | ||