一种IGBT芯片及其制作方法

摘要

本发明公开了一种IGBT芯片及其制作方法，包括至少一个元胞，其中，通过在第一常规沟槽和第二常规沟槽之间设置辅助沟槽，将第一常规沟槽和第二常规沟槽之间的间距分为两部分。而相较于第一常规沟槽和第二常规沟槽之间较大的间距，本发明中第一常规沟槽与辅助沟槽之间的间距和第二常规沟槽与辅助沟槽之间的间距，与槽栅型IGBT芯片其他相邻沟槽之间的间距的差距小，进而改善了IGBT芯片关断时载流子的抽取的均匀度，改善了IGBT芯片关断特性的软度。

主权项

一种IGBT芯片，其特征在于，包括至少一个元胞，所述元胞包括：漂移区；位于所述漂移区一表面上的基区；位于所述基区背离所述漂移区一侧的第一常规沟槽、第二常规沟槽和辅助沟槽，所述辅助沟槽位于所述第一常规沟槽和第二常规沟槽之间，所述第一常规沟槽、第二常规沟槽和辅助沟槽均延伸至所述漂移区，所述第一常规沟槽内设置有第一常规栅层，所述第二常规沟槽内设置有第二常规栅层，所述辅助沟槽内设置有辅助栅层，且所述第一常规沟槽的内壁与所述第一常规栅层之间、所述第二常规沟槽的内壁所述第二常规栅层之间和所述辅助沟槽的内壁与所述辅助栅层之间均设置有一第一栅氧化层；位于所述第一常规沟槽和第二常规沟槽之间、且背离所述基区一侧的第一源极区和第二源极区；以及，位于所述第一源极区和第二源极区之间的发射极金属电极，所述发射极金属电极延伸至所述基区，且所述发射极金属电极覆盖所述辅助沟槽。