| 发明名称 | 一种制备三维环栅结构半导体场效应晶体管器件的方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供了一种制备三维环栅结构半导体场效应晶体管器件的方法，通过以自支撑三维微纳米功能结构为载体，利用微纳加工技术以制备三维环栅结构半导体场效应晶体管器件，具体步骤如下：在所述自支撑三维微纳米功能结构表面制备第一电介质层；在前述样品上制备三维环栅金属电极；在前述样品上制备第二电介质层以达到源漏极金属引线与栅极的电隔离；在前述样品上刻蚀制备电极接触孔；电极接触块的制备及其与所述电极接触块孔的连接。本发明的方法所制备的晶体管器件具有有效的栅控特性，能各向同性调控源极与漏极之间的场效应，抑制边角效应，在微纳米级别提供较长且宽的沟道，更小的漏端寄生电容，减少漏端的电场扩散，有利于提高晶体管器件的性能。 | ||
| 申请公布号 | CN105304501A | 申请公布日期 | 2016.02.03 |
| 申请号 | CN201510708503.9 | 申请日期 | 2015.10.27 |
| 申请人 | 中国科学院物理研究所 | 发明人 | 顾长志;郝婷婷;李无瑕;李俊杰 |
| 分类号 | H01L21/336(2006.01)I;H01L29/423(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/336(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京智汇东方知识产权代理事务所(普通合伙) 11391 | 代理人 | 范晓斌;康正德 |
| 主权项 | 一种制备三维环栅结构半导体场效应晶体管器件的方法，通过以自支撑三维微纳米功能结构为载体，利用微纳加工技术以制备三维环栅结构半导体场效应晶体管器件，具体步骤如下：步骤1、在所述自支撑三维微纳米功能结构表面制备第一电介质层；步骤2、在前述样品上制备三维环栅金属电极；步骤3、在前述样品上制备第二电介质层以达到源漏极金属引线与栅极的电隔离；步骤4、在前述样品上刻蚀制备电极接触孔；步骤5、电极接触块的制备及其与所述电极接触块孔的连接以获得所述三维环栅结构半导体场效应晶体管器件。 | ||
| 地址 | 100190 北京市海淀区中关村南三街八号 | ||