| 发明名称 | BaGa<sub>2</sub>SiS<sub>6</sub>化合物、BaGa<sub>2</sub>SiS<sub>6</sub>非线性光学晶体及制法和用途 | ||
| 摘要 | 本发明涉及BaGa<sub>2</sub>SiS<sub>6</sub>化合物、BaGa<sub>2</sub>SiS<sub>6</sub>非线性光学晶体及制法和用途；该BaGa<sub>2</sub>SiS<sub>6</sub>化合物采用固相反应制备；BaGa<sub>2</sub>SiS<sub>6</sub>非线性光学晶体采用高温熔体自发结晶法或坩埚下降法生长；在该BaGa<sub>2</sub>SiS<sub>6</sub>非线性光学晶体的生长中晶体易长大且透明无包裹，具有生长速度较快，成本低，容易获得较大尺寸晶体等优点；所得BaGa<sub>2</sub>SiS<sub>6</sub>非线性光学晶体具有比较宽的透光波段，硬度较大，机械性能好，不易碎裂和潮解，易于加工和保存等优点；该BaGa<sub>2</sub>SiS<sub>6</sub>非线性光学晶体可用于制作非线性光学器件。 | ||
| 申请公布号 | CN103060917B | 申请公布日期 | 2016.02.03 |
| 申请号 | CN201110319535.1 | 申请日期 | 2011.10.20 |
| 申请人 | 中国科学院理化技术研究所 | 发明人 | 姚吉勇;尹文龙;冯凯;梅大江;傅佩珍;吴以成 |
| 分类号 | C30B29/46(2006.01)I;C30B1/10(2006.01)I;C30B11/00(2006.01)I;G02F1/355(2006.01)I;C01B33/00(2006.01)I | 主分类号 | C30B29/46(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京法思腾知识产权代理有限公司 11318 | 代理人 | 高宇;杨小蓉 |
| 主权项 | 一种BaGa<sub>2</sub>SiS<sub>6</sub>非线性光学晶体，该BaGa<sub>2</sub>SiS<sub>6</sub>非线性光学晶体不具有对称中心，属三方晶系，空间群为R3，其晶胞参数为：<img file="FDA0000783363840000011.GIF" wi="663" he="68" />α＝β＝90°，γ＝120°，Z＝3，<img file="FDA0000783363840000012.GIF" wi="312" he="71" /> | ||
| 地址 | 100190 北京市海淀区中关村北一条2号 | ||