光伏电池以及半导体元件的制作方法

摘要

本发明提供一种光伏电池以及半导体元件的制作方法，该光伏电池的制作方法包括：提供一半导体基板，该半导体基板具有一第一表面与一第二表面，该第二表面相对于该第一表面；在该半导体基板中形成一邻近该第一表面的第一掺杂区；进行一纳米压印工艺与一蚀刻工艺以于该半导体基板中形成一沟槽，该沟槽自该第一表面延伸入该半导体基板中；于该半导体基板中形成一位于该沟槽中的第二掺杂区，该第二掺杂区的掺杂浓度大于该第一掺杂区的掺杂浓度；以及以一导电材料填满该沟槽。本发明可高效率且符合成本效益地量产光伏电池。

主权项

一种光伏电池的制作方法，包括：提供一半导体基板，该半导体基板具有一第一表面与一第二表面，该第二表面相对于该第一表面，其中使该第一表面形成一纹理结构，其包括定义出一接触区域的平坦部分；在该半导体基板中形成一邻近该第一表面的第一掺杂区；在该半导体基板的该第一表面上形成一遮蔽层；提供一模具，该模具具有一图案，该图案包括至少一凸起结构；将该模具的凸起结构对齐该接触区域，然后将该模具压入该遮蔽层中，以使该凸起结构插入并贯穿该遮蔽层；移除该模具，并留下一图案化遮蔽层，该图案化遮蔽层具有一暴露出部分该半导体基板的开口；以该图案化遮蔽层为罩幕，进行一蚀刻工艺，以蚀刻该图案化遮蔽层的该开口所暴露出的部分该半导体基板，从而于该半导体基板中形成一沟槽，该沟槽自该第一表面延伸入该半导体基板中；于该半导体基板中形成一位于该沟槽中的第二掺杂区，该第二掺杂区的掺杂浓度大于该第一掺杂区的掺杂浓度；以及以一导电材料填满该沟槽。