两次连续沉积升温扩散工艺

摘要

本发明公开了两次连续沉积升温扩散工艺，属于光伏技术领域。将清洗制绒好的硅片放入扩散炉，通入氮气、氧气和三氯氧磷，在高温下进行扩散；扩散分两次沉积，每次沉积的温度逐步升高，可降低表面杂质浓度，减少“死层”，提升光电转换效率。按照电池片的正常工艺完成刻蚀、PECVD、丝网烧结等工艺后，电池片的光电转换效率提升约0.2%。

主权项

两次连续沉积升温扩散工艺，其特征为，具体步骤为：（1）开始：时间为5~20 s，温度设置为770~790 ℃，大氮流量为7~13 L/min，小氮和氧气的流量均为0 L/min；（2）进舟：时间为500~900 s，温度设置为770~790 ℃，大氮流量为7~13 L/min，小氮和氧气的流量为0 L/min，进舟速度为300~600 mm/min；（3）升温：时间为300~800 s，温度设置为780~800 ℃，大氮流量为10~25 L/min，小氮和氧气的流量均为0 L/min；（4）前氧化：时间为200~700 s，温度设置为780~800 ℃，大氮流量为10~25 L/min，小氮流量为0 L/min，氧气流量为1~5 L/min；（5）第一次沉积：时间为600~1200 s，温度设置为795~815 ℃，大氮流量为10~25 L/min，小氮流量为0.9~2.2 L/min，氧气流量为0.3~2.2 L/min；（6）第二次沉积：时间为400~700 s，温度设置为815~835 ℃，大氮流量为10~25 L/min，小氮流量为0.9~2.2 L/min，氧气流量为0.3~2.2 L/min；（7）推进：时间为200~700 s，温度设置为835~855 ℃，大氮流量为10~25 L/min，小氮流量为0 L/min，氧气流量为0~2 L/min；（8）后氧化及降温：时间为300~2000 s，温度设置为700~800 ℃，大氮流量为10~25 L/min，小氮流量为0 L/min，氧气流量为1~5 L/min；（9）出舟：时间为700~1200 s，温度设置为700~800 ℃，大氮流量为7~13 L/min，小氮和氧气的流量为0 L/min，出舟速度为200~400 mm/min；（10）结束：时间为5~20 s，温度设置为750~800 ℃，大氮流量为7~13 L/min，小氮和氧气的流量均为0 L/min。