发明名称 |
一种双面发光量子点发光二极管及其制备方法 |
摘要 |
本发明公开一种双面发光量子点发光二极管及其制备方法,其包括:衬底、位于衬底上表面自下而上的第一阳极层、第一空穴注入层、第一空穴传输层、第一量子点发光层、第一电子传输层以及第一阴极层,及位于衬底下表面自上而下的第二阳极层、第二空穴注入层、第二空穴传输层、第二量子点发光层、第二电子传输层以及第二阴极层。本发明采用在衬底两侧同时制备量子点发光二极管,从而制得双面发光结构的量子点发光二极管。另外,采用浸渍提拉法工艺在衬底两侧同时制备量子点发光二极管相对于在衬底一侧制备双面发光量子点发光二极管制备工艺更加简单,相比于贴合工艺制备的双面发光量子点发光二极管更加轻薄。 |
申请公布号 |
CN105304829A |
申请公布日期 |
2016.02.03 |
申请号 |
CN201510794586.8 |
申请日期 |
2015.11.18 |
申请人 |
TCL集团股份有限公司 |
发明人 |
陈亚文 |
分类号 |
H01L51/50(2006.01)I;H01L51/56(2006.01)I |
主分类号 |
H01L51/50(2006.01)I |
代理机构 |
深圳市君胜知识产权代理事务所 44268 |
代理人 |
王永文;刘文求 |
主权项 |
一种双面发光量子点发光二极管,所述双面发光量子点发光二极管为正装结构的双面发光量子点发光二极管,其特征在于,包括:衬底、位于衬底上表面自下而上的第一阳极层、第一空穴注入层、第一空穴传输层、第一量子点发光层、第一电子传输层以及第一阴极层,及位于衬底下表面自上而下的第二阳极层、第二空穴注入层、第二空穴传输层、第二量子点发光层、第二电子传输层以及第二阴极层。 |
地址 |
516006 广东省惠州市仲恺高新技术开发区十九号小区 |