发明名称 WAFER PROCESSING METHOD
摘要 본 발명은 얇게 연삭된 디바이스 영역에 흠을 생기게 하지 않는 웨이퍼 가공 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다. 복수의 디바이스가 분할 예정 라인에 의해 구획되어 형성된 디바이스 영역과, 그 디바이스 영역을 둘러싸는 외주 잉여 영역을 표면에 갖는 웨이퍼를 가공하는 웨이퍼 가공 방법으로서, 웨이퍼의 표면에 보호 테이프를 점착하는 보호 테이프 점착 공정과, 회전 가능한 척 테이블에 웨이퍼의 보호 테이프측을 유지하고, 웨이퍼의 이면에 절삭 블레이드를 위치시키며 그 척 테이블을 회전시켜 상기 디바이스 영역과 상기 외주 잉여 영역과의 경계부를 절삭해서 분리홈을 형성하고, 상기 디바이스 영역으로부터 링형의 상기 외주 잉여 영역을 분리하는 분리홈 형성 공정과, 상기 보호 테이프에 의해 상기 디바이스 영역과 상기 링형의 외주 잉여 영역이 일체가 된 웨이퍼의 상기 디바이스 영역에 대응하는 이면만을 연삭하여 원형 오목부를 형성하고 상기 링형의 외주 잉여 영역을 링형 보강부로서 잔존시키는 이면 연삭 공정과, 상기 보호 테이프를 통해 상기 링형 보강부에 지지된 웨이퍼의 상기 디바이스 영역을 반송하는 반송 공정을 포함하는 것을 특징으로 한다.
申请公布号 KR101591109(B1) 申请公布日期 2016.02.02
申请号 KR20100093780 申请日期 2010.09.28
申请人 가부시기가이샤 디스코 发明人 세키야 가즈마
分类号 H01L21/301;H01L21/304;H01L21/78 主分类号 H01L21/301
代理机构 代理人
主权项
地址