发明名称 |
基板处理装置及基板处理方法 |
摘要 |
明之基板处理装置包括:气流产生器件11,其于被保持为大致水平姿势之基板W之周围产生由自上方朝向下方之气体所形成之降流;液膜形成器件41,其对基板W之上表面供给液体而形成液膜;冷却气体喷出喷嘴51,其对液膜喷出温度较构成液膜之液体之凝固点更低之冷却气体而使液膜冻结;以及去除器件52,其将液膜冻结而成之冻结膜自基板去除。气流产生器件11于自冷却气体喷出喷嘴51对液膜喷出冷却气体时,将降流之流速设为较自液膜形成器件41对基板W供给液体时更小。
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申请公布号 |
TWI520208 |
申请公布日期 |
2016.02.01 |
申请号 |
TW103120382 |
申请日期 |
2014.06.12 |
申请人 |
斯克林集团公司 |
发明人 |
加藤雅彦;宫胜彦;屋敷启之;饭室惠纪 |
分类号 |
H01L21/306(2006.01);H01L21/67(2006.01) |
主分类号 |
H01L21/306(2006.01) |
代理机构 |
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代理人 |
陈长文 |
主权项 |
一种基板处理装置,其包括:基板保持器件,其将基板保持为水平姿势;气流产生器件,其于保持于上述基板保持器件之上述基板之周围,产生由自上方朝向下方之气体所形成之降流;液膜形成器件,其对由上述基板保持器件保持之上述基板之上表面供给液体而形成液膜;冷却气体喷出喷嘴,其对上述液膜喷出温度较构成上述液膜之上述液体之凝固点更低之冷却气体而使上述液膜冻结;以及去除器件,其将上述液膜冻结而成之冻结膜自上述基板去除;且上述气流产生器件于自上述冷却气体喷出喷嘴对上述液膜喷出上述冷却气体时,将上述降流之流速设为较自上述液膜形成器件对上述基板供给上述液体时更小。
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地址 |
日本 |