| 摘要 |
본 발명은 결정질 그라데이션층을 이용한 고품질 질화갈륨 기판 제조 방법으로서, 베이스 기판을 반응기의 반응 공간 상에 위치시키고 상기 반응 공간에 원료가스인 갈륨클로라이드(CaCl) 가스와 암모니아(NH) 가스를 공급하여 상기 베이스 기판의 상부에 제1 결함밀도를 갖는 제1 질화갈륨층을 성장시키는 제1 질화갈륨층 성장 단계; 상기 반응 공간에 원료가스인 갈륨클로라이드(CaCl) 가스와 암모니아(NH) 가스를 공급하되, 상기 제1 결함밀도로부터 제2 결함밀도까지 질화갈륨의 결정질 변화 구간을 미분화하여 결함밀도가 점차적으로 낮아지도록 질화갈륨 성장 조건을 조절하면서 제2 질화갈륨층을 성장시켜 질화갈륨 결정의 합체 속도를 조절하는 제2 질화갈륨층 성장 단계; 및 상기 제2 결합밀도를 갖는 제3 질화갈륨층을 성장시키는 제3 질화갈륨층 성장 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 고품질 질화갈륨 기판 제조 방법이며, 이와 같은 본 발명에 의하면 저품위 질화갈륨층으로부터 고품위 질화갈륨층으로 서서히 변화되는 그라데이션층을 저품위 질화갈륨층과 고품위 질화갈륨층 사이에서 성장시킴으로써 결정품질의 변화에 따른 인장응력을 최소화시켜 크랙 발생을 억제하면서 고품질의 질화갈륨 기판을 제조할 수 있다. |
