| 摘要 |
L'invention concerne un procédé de fabrication d'un matériau semi-conducteur incluant une couche (50) de nitrure d'élément 13 comprenant des zones actives (52) pour la fabrication de composants électroniques, et des zones inactives (51), les zones actives et inactives s'étendant sur une face avant (53) de la couche de nitrure d'élément 13, la concentration de défauts cristallins dans les zones actives étant inférieure à la concentration de défauts dans les zones inactives, le procédé comprenant les étapes consistant à : - utiliser un masque pour former sur un substrat de départ (10) : ○ des premières régions pour la croissance des zones actives et ○ des deuxièmes régions (11) pour la croissance des zones inactives, le masque comprenant une pluralité d'ouvertures définissant chacune un motif de zone active sur le substrat de départ, et - faire croître (700) la couche de nitrure d'élément 13 comprenant les zones actives et inactives sur les premières et deuxièmes régions, remarquable en ce que le procédé comprend en outre les étapes suivantes : - la réception d'un pas de motif théorique, le pas de motif théorique correspondant à une distance désirée entre deux motifs de zone active adjacents sur la face avant de la couche de nitrure d'élément 13, - le calcul d'au moins un pas de masque différent du pas de motif théorique pour compenser des décalages de motifs de zone active, les décalages de motifs de zone active étant dus aux conditions de croissance du matériau semi-conducteur, le pas de masque correspondant à une distance entre deux ouvertures adjacentes du masque de protection. |
