发明名称 |
一种NAND闪存 |
摘要 |
本发明提供了一种NAND闪存,包括:存储单元;串行接口,包括第一串行端口和第二串行端口;片选使能信号输入端口,用于接收片选使能信号;控制单元,用于片选使能信号为低电平时,指示所述第一串行端口接收输入数据;当接收完输入数据后,指示所述第二串行端口输出地址对应的所述存储单元的数据。本发明能够为NAND闪存提供不同的接口,提升芯片应用的灵活性和范围;减少IO数量,降低成本。 |
申请公布号 |
CN103365791B |
申请公布日期 |
2016.01.27 |
申请号 |
CN201210104010.0 |
申请日期 |
2012.04.10 |
申请人 |
北京兆易创新科技股份有限公司 |
发明人 |
苏志强;丁冲;张现聚 |
分类号 |
G06F12/0866(2016.01)I |
主分类号 |
G06F12/0866(2016.01)I |
代理机构 |
北京安信方达知识产权代理有限公司 11262 |
代理人 |
栗若木;曲鹏 |
主权项 |
一种NAND闪存,包括:存储单元;其特征在于,还包括:串行接口,包括第一串行端口和第二串行端口;片选使能信号输入端口,用于接收片选使能信号;控制单元,用于片选使能信号为低电平时,指示所述第一串行端口接收输入数据;当接收完输入数据后,指示所述第二串行端口输出地址对应的所述存储单元的数据;所述第二串行端口包括第一串行输出端口和第二串行输出端口;所述控制单元指示所述第二串行端口输出地址对应的所述存储单元的数据是指:所述控制单元指示所述第一串行输出端口和第二串行输出端口同时输出地址对应的所述存储单元的数据。 |
地址 |
100083 北京市海淀区学院路30号科大天工大厦A座12层 |