| 发明名称 | 半导体结构及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供了一种半导体结构，包括半导体衬底和浅沟槽隔离(STI)。STI包括与半导体衬底相连接的侧壁。STI从半导体衬底的底部突出，并且STI包括与半导体衬底的底部接触的底面、与底面相对的顶面。底面的宽度大于顶面的宽度。 | ||
| 申请公布号 | CN105280635A | 申请公布日期 | 2016.01.27 |
| 申请号 | CN201410770314.X | 申请日期 | 2014.12.15 |
| 申请人 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 发明人 | 张哲诚;程潼文;谢瑞夫;林木沧 |
| 分类号 | H01L27/04(2006.01)I;H01L21/762(2006.01)I | 主分类号 | H01L27/04(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人 | 章社杲;李伟 |
| 主权项 | 一种半导体结构，包括：半导体衬底；以及浅沟槽隔离(STI)，所述浅沟槽隔离包括与所述半导体衬底相连接的侧壁，其中，所述STI从所述半导体衬底的底部突出，并且所述STI包括：底面，与所述半导体衬底的所述底部接触；顶面，与所述底面相对，其中，所述底面的宽度大于所述顶面的宽度。 | ||
| 地址 | 中国台湾新竹 | ||