发明名称 | 多阶存储器单元读取 | ||
摘要 | 多阶读取可根据正读取的存储器单元的阈值电压的函数动态改变字线电容。多阶读取可减少电流尖脉冲,并减少读取期间存储器单元的变热。存储器装置包含全局字线驱动器以将选择的存储器单元的字线连接到读出电路并将局部字线驱动器局部连接到存储器单元。在字线被充电到读取电压之后,控制逻辑可有选择地启用和禁用部分或全部全局字线驱动器和局部字线驱动器,以及向位线施加不同的离散电压电平以执行多阶读取。 | ||
申请公布号 | CN105280219A | 申请公布日期 | 2016.01.27 |
申请号 | CN201510215810.3 | 申请日期 | 2015.04.30 |
申请人 | 英特尔公司 | 发明人 | S.古里亚尼;K.潘加尔;B.斯里尼瓦桑;C.胡 |
分类号 | G11C11/4063(2006.01)I | 主分类号 | G11C11/4063(2006.01)I |
代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人 | 徐予红;姜甜 |
主权项 | 一种用于多阶存储器单元读取的方法,包括:给具有被选择以读取的存储器单元的存储器装置的字线充电;启用将全局字线路径从所述字线连接到读取所述存储器单元的读出电路的全局字线驱动器,并启用将局部字线路径连接到所述全局字线路径的局部字线驱动器;禁用所述全局字线驱动器,并保持启用所述局部字线驱动器;向所述选择的存储器单元的位线施加初始电压;禁用所述局部字线驱动器,并保持禁用所述全局字线驱动器;向所述位线施加较高电压;以及启用所述全局字线驱动器和所述局部字线驱动器以将所述存储器单元连接到所述读出电路以读取所述选择的存储器单元。 | ||
地址 | 美国加利福尼亚州 |