| 发明名称 | 用于FinFET器件的结构和方法 | ||
| 摘要 | 一种用于制造鳍式场效应晶体管(FinFET)器件的方法包括在衬底上方形成第一鳍结构，在第一鳍结构上方形成介电层，在介电层内形成具有垂直轮廓的沟槽，在沟槽的侧壁和底部上方共形地沉积第一半导体材料层，在第一半导体材料层上方沉积第二半导体材料层以填充剩余的沟槽，使介电层凹进以横向暴露第一半导体材料层以及蚀刻暴露的第一半导体材料层以露出第二半导体材料层。本发明的实施例还涉及用于FinFET器件的结构。 | ||
| 申请公布号 | CN105280558A | 申请公布日期 | 2016.01.27 |
| 申请号 | CN201510288647.3 | 申请日期 | 2015.05.29 |
| 申请人 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 发明人 | 尤志豪;余绍铭 |
| 分类号 | H01L21/8238(2006.01)I;H01L27/092(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/8238(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人 | 章社杲;李伟 |
| 主权项 | 一种用于制造鳍式场效应晶体管(FinFET)器件的方法，所述方法包括：在衬底上方形成第一鳍结构；在所述第一鳍结构上方形成介电层；在所述介电层内形成沟槽，其中，在所述沟槽的底部中暴露所述第一鳍结构；在所述沟槽内沉积第一半导体材料层；在所述沟槽内的所述第一半导体材料层上方沉积第二半导体材料层；使所述介电层凹进以横向暴露所述第一半导体材料层；以及蚀刻暴露的第一半导体材料层以露出所述第二半导体材料层，其中，位于所述第二半导体材料层下方的所述第一半导体材料层的至少一部分保持完整。 | ||
| 地址 | 中国台湾新竹 | ||