发明名称 基于吸气剂的MEMS高真空封装结构
摘要 本发明提供一种基于吸气剂的MEMS高真空封装结构,包括封装腔体、设置在腔体内的MEMS器件和吸气剂,所述封装腔体包括封装基底和封装盖板,在所述封装基底或封装盖板上设置有用于支撑吸气剂的支撑装置,使吸气剂悬置在腔体内部,不与封装腔体内表面接触。具有上述支撑装置的封装腔体,在真空环境下对吸气剂进行加热激活时就可有效减少其热传递,避免其产生的热量通过封装基底或者封装盖板大量传递至IC/MEMS器件上,对IC/MEMS器件造成不利影响,更重要的是可以提高吸气剂的激活效率和成功率,减少吸气剂激活失败引起的封装结构的报废。
申请公布号 CN105271101A 申请公布日期 2016.01.27
申请号 CN201510787784.1 申请日期 2015.11.17
申请人 合肥芯福传感器技术有限公司 发明人 赵照
分类号 B81B7/00(2006.01)I 主分类号 B81B7/00(2006.01)I
代理机构 代理人
主权项 一种基于吸气剂的MEMS高真空封装结构,包括封装腔体、设置在腔体内的MEMS器件和吸气剂,所述封装腔体包括封装基底和封装盖板,其特征在于:在所述封装基底或封装盖板上设置有用于支撑吸气剂的支撑装置,使吸气剂悬置在腔体内部,不与封装腔体内表面接触。
地址 230031 安徽省合肥市高新区创新产业园二期F1栋1405室