具有温度补偿自保护硅基APD阵列器件的制作方法

摘要

本发明涉及一种具有温度补偿自保护硅基APD阵列器件的制造方法，其结构包括：雪崩光电二极管（APD）阵列、温敏二极管和淬灭电阻。所述雪崩光电二极管阵列由微元APD，淬灭电阻与微元APD串联形成单元，所有这些单元并联在一起形成线阵，线阵器件与温敏二极管表面贴装连接。这种结构的APD阵列具有温度补偿性好，均匀性高，响应速度快，低噪声等优点。

主权项

具有温度补偿自保护硅基APD阵列器件的制造方法，其特征在于，包括：提供一种硅片作为衬底片；在所述衬底片上制造出微元APD构成阵列；在APD阵列外围采用表面贴装技术SMD对APD阵列、温敏二极管和淬灭电阻进行电器连接。