发明名称 |
贴合晶圆的制造方法 |
摘要 |
本发明是一种贴合晶圆的制造方法,其向接合晶圆的表面离子注入氢离子和稀有气体离子的至少一种气体离子而形成离子注入层,将接合晶圆的离子注入后的表面与基底晶圆的表面直接贴合或隔着绝缘膜贴合之后,施加热处理,在离子注入层使接合晶圆的一部分剥离,由此制作在基底晶圆上具有薄膜的贴合晶圆,其中,在将接合晶圆与基底晶圆贴合之前,测量接合晶圆和基底晶圆的厚度,选择两晶圆的厚度之差小于5μm的由接合晶圆与基底晶圆构成的组合来进行贴合。由此,能抑制在薄膜上产生的大理石花纹的膜厚不均,制造薄膜的膜厚均匀性高的贴合晶圆。 |
申请公布号 |
CN105283943A |
申请公布日期 |
2016.01.27 |
申请号 |
CN201480032979.9 |
申请日期 |
2014.05.19 |
申请人 |
信越半导体株式会社 |
发明人 |
小林德弘;阿贺浩司 |
分类号 |
H01L21/02(2006.01)I;H01L21/265(2006.01)I;H01L27/12(2006.01)I |
主分类号 |
H01L21/02(2006.01)I |
代理机构 |
北京路浩知识产权代理有限公司 11002 |
代理人 |
谢顺星;张晶 |
主权项 |
一种贴合晶圆的制造方法,其向接合晶圆的表面离子注入氢离子和稀有气体离子的至少一种气体离子而形成离子注入层,将所述接合晶圆的离子注入后的表面与基底晶圆的表面直接贴合或隔着绝缘膜贴合之后,施加热处理,在所述离子注入层使所述接合晶圆的一部分剥离,由此制作在所述基底晶圆上具有薄膜的贴合晶圆,其特征在于,在将所述将接合晶圆与基底晶圆贴合之前,测量所述接合晶圆和所述基底晶圆的厚度,选择两晶圆的厚度之差小于5μm的由所述接合晶圆与所述基底晶圆构成的组合来进行贴合。 |
地址 |
日本东京都 |