A semiconductor device using voids within Interconnect and method of manufacturing the same

摘要

본 발명은 반도체 소자 및 그 제조 방법에 관한 것으로, 반도체 소자의 동작을 위한 배선 연결층에 중공을 형성함으로써 RF 스위치의 성능 지수를 향상시키는 반도체 소자 및 그 제조 방법에 관한 것이다.