形成具有遮蔽电极结构的绝缘闸场效应电晶体装置的方法

摘要

用于形成具有在沟槽区中的绝缘闸电极和绝缘屏蔽电极的电晶体的方法包括形成覆盖基板的电介质堆叠。电介质堆叠包括覆盖基板的由一种材料构成的第一层和覆盖第一层的由不同材料构成的第二层。沟槽区被形成为邻近电介质堆叠。当绝缘屏蔽电极被形成以后，该方法包括移除第二层并且然后形成绝缘闸电极。闸电极材料的一部分被移除以形成第一凹槽区，并且电介质塞使用第一层作为停止层在第一凹槽区中形成。然后，第一层被移除，并且间隔件被形成为邻近电介质塞。第二凹槽区在与间隔件自对准的基板中形成。

主权项

一种形成半导体装置的方法，包括以下步骤：提供具有一主表面的一半导体基板；形成覆盖在该主表面的一电介质堆叠，其中该电介质堆叠包括一第一层和覆盖该第一层的一第二层，并且其中一层包括一氧化阻挡层；在该电介质堆叠中形成一第一开口；在该半导体基板中形成通过该第一开口并且从该主表面延伸的一沟槽；形成覆盖在该沟槽之表面的一第一电介质层，其中该第一电介质层经组态作为用于该半导体装置之一闸电介质层之至少一部分；在该沟槽内形成一绝缘遮蔽电极；移除该第二层；在该沟槽中形成一绝缘闸电极，其中该绝缘闸电极包括一导电闸材料；移除该导电闸材料的一部分以在该绝缘闸电极上方形成一第一凹槽区；在该第一凹槽区中形成一电介质塞，其中该电介质塞包括不同于该第一层的一材料；在该半导体基板中形成一主体区；移除该第一层；在与该电介质塞自对准的该主体区中形成一源极区；形成邻近该电介质塞的间隔件；
在与该等间隔件自对准的该半导体基板中形成第二凹槽区；以及形成通过该等第二凹槽区被耦合于该半导体基板的一第一导电层。