发明名称 半导体装置或结晶
摘要 明提供形成良质的刚玉型结晶膜的半导体装置。本发明提供的由具有刚玉型结晶结构的底层基板、具有刚玉型结晶结构的半导体层、具有刚玉型结晶结构的绝缘膜形成的半导体装置。在具有刚玉型结晶结构的材料中包括多种氧化膜,不仅能够发挥作为绝缘膜的功能,而且底层基板、半导体层以及绝缘膜全部具有刚玉型结晶结构,由此,在底层基板上能够实现良质的半导体层、绝缘膜。
申请公布号 TWI518748 申请公布日期 2016.01.21
申请号 TW102134563 申请日期 2013.09.25
申请人 FLOSFIA股份有限公司 发明人 金子健太郎;人罗俊实;平尾孝
分类号 H01L21/205(2006.01) 主分类号 H01L21/205(2006.01)
代理机构 代理人 叶信金
主权项 一种半导体装置或结晶,在底层基板上以半导体层、绝缘膜的顺序或相反的顺序具备半导体层和绝缘膜,所述底层基板、所述半导体层及所述绝缘膜均具有刚玉型结晶结构,所述半导体层包含铟(In)或镓(Ga)。
地址 日本