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经营范围
发明名称
半导体装置或结晶
摘要
明提供形成良质的刚玉型结晶膜的半导体装置。本发明提供的由具有刚玉型结晶结构的底层基板、具有刚玉型结晶结构的半导体层、具有刚玉型结晶结构的绝缘膜形成的半导体装置。在具有刚玉型结晶结构的材料中包括多种氧化膜,不仅能够发挥作为绝缘膜的功能,而且底层基板、半导体层以及绝缘膜全部具有刚玉型结晶结构,由此,在底层基板上能够实现良质的半导体层、绝缘膜。
申请公布号
TWI518748
申请公布日期
2016.01.21
申请号
TW102134563
申请日期
2013.09.25
申请人
FLOSFIA股份有限公司
发明人
金子健太郎;人罗俊实;平尾孝
分类号
H01L21/205(2006.01)
主分类号
H01L21/205(2006.01)
代理机构
代理人
叶信金
主权项
一种半导体装置或结晶,在底层基板上以半导体层、绝缘膜的顺序或相反的顺序具备半导体层和绝缘膜,所述底层基板、所述半导体层及所述绝缘膜均具有刚玉型结晶结构,所述半导体层包含铟(In)或镓(Ga)。
地址
日本
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