| 发明名称 | 半导体装置及半导体装置的制造方法 | ||
| 摘要 | 提供一种半导体装置，其特征在于，具有：第一半导体层，形成在基板上，第二半导体层，形成在上述第一半导体层上，源电极以及漏电极，以与上述第一半导体层或者上述第二半导体层接触的方式形成，开口部，形成在上述第一半导体层上，绝缘膜，形成在上述第二半导体层的上方以及上述开口部的内部表面，栅电极，隔着上述绝缘膜形成在上述开口部内，保护膜，形成在上述绝缘膜上；上述保护膜包括将碳作为主要成分的非结晶膜。 | ||
| 申请公布号 | CN103229283B | 申请公布日期 | 2016.01.20 |
| 申请号 | CN201080070366.6 | 申请日期 | 2010.11.26 |
| 申请人 | 富士通株式会社 | 发明人 | 中村哲一;尾崎史朗;武田正行;宫岛豊生;多木俊裕;金村雅仁;今西健治;吉川俊英;渡部庆二 |
| 分类号 | H01L21/338(2006.01)I;H01L21/316(2006.01)I;H01L21/318(2006.01)I;H01L29/778(2006.01)I;H01L29/78(2006.01)I;H01L29/812(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/338(2006.01)I |
| 代理机构 | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人 | 宋晓宝;郭晓东 |
| 主权项 | 一种半导体装置，其特征在于，具有：第一半导体层，形成在基板上，第二半导体层，形成在上述第一半导体层上，源电极以及漏电极，以与上述第一半导体层或者上述第二半导体层接触的方式形成，开口部，形成在上述第二半导体层上，绝缘膜，形成在上述第二半导体层的上方以及上述开口部的内部表面，栅电极，隔着上述绝缘膜形成在上述开口部内，保护膜，形成在上述绝缘膜上；上述保护膜由将碳作为主要成分的非结晶膜和绝缘保护膜形成，上述将碳作为主要成分的非结晶膜形成在上述绝缘膜上，上述绝缘保护膜形成在上述将碳作为主要成分的非结晶膜上，上述绝缘膜由氧化铝形成，上述绝缘保护膜由包含氮化硅的物质形成。 | ||
| 地址 | 日本国神奈川县川崎市 | ||