发明名称 |
CMOS图像传感器 |
摘要 |
本发明提供一种CMOS图像传感器,至少包括半导体衬底及位于所述半导体衬底中的多个像素单元,其中,各该像素单元至少包括第一感光器件、第二感光器件、像素读出电路、及隔离结构。相较于现有的CMOS图像传感器而言,本发明在传统的CMOS图像传感器中增加的第二感光器件,使本发明的感光器件的输出响应曲线为非线性,对应同样的输出电压摆幅而言,增大了CMOS图像传感器可以感知光的最大范围,即照明水平的最大值,从而提高了图像传感器的动态范围;同时本发明保持现有的CMOS图像传感器的像素读出电路的连接方式,保证了CMOS图像传感器的捕获图像质量。 |
申请公布号 |
CN102820313B |
申请公布日期 |
2016.01.20 |
申请号 |
CN201210333161.3 |
申请日期 |
2012.09.11 |
申请人 |
中国科学院上海高等研究院 |
发明人 |
田犁;汪辉;陈杰;方娜;苗田乐 |
分类号 |
H01L27/146(2006.01)I;H04N5/374(2011.01)I |
主分类号 |
H01L27/146(2006.01)I |
代理机构 |
上海光华专利事务所 31219 |
代理人 |
李仪萍 |
主权项 |
一种CMOS图像传感器,其特征在于,所述CMOS图像传感器至少包括:半导体衬底及位于所述半导体衬底中的多个像素单元,其中,各该像素单元包括:感光器件,将光信号转换成电信号,至少包括第一感光器件和一端与其连接的第二感光器件,所述的第二感光器件的另一端连接在工作电源上,其中,所述的第二感光器件的有效感光区的面积小于所述第一感光器件的有效感光区的面积,所述的第二感光器件将第一感光器件产生的部分电信号导出;所述第一感光器件为感光二极管或光电门;所述第二感光器件为PIN型感光二极管,其本征区I区域的长度小于其内的少子的扩散长度;像素读出电路,与所述第一感光器件和第二感光器件的连接点相连接,以将所述第一感光器件产生的电信号读出。 |
地址 |
201210 上海市浦东新区海科路99号 |