发明名称 一种影像传感器及其制造方法
摘要 本发明涉及半导体制造领域,具体来说是一种影像传感器及其制造方法。本发明包括以下步骤:在晶圆上刻蚀出需要填充的沟槽及通孔;对所述沟槽及通孔的拐角处使用惰性气体轰击,对所述拐角进行倒角处理,使所述沟槽及通孔开口增大;使用等离子体刻蚀法刻蚀所述沟槽及通孔拐角处,使所述沟槽及通孔的拐角圆滑;往所述沟槽及通孔中通过电镀方式填充铜。使用惰性气体轰击所述开口处并利用等离子对所述开口处进行处理,使沟槽及通孔的开口更大更圆滑,对所述沟槽及通孔进行电镀铜填充时,铜不易在开口处堆积,这样就可以避免封口以及孔洞现象。
申请公布号 CN103066095B 申请公布日期 2016.01.20
申请号 CN201310012859.X 申请日期 2013.01.14
申请人 武汉新芯集成电路制造有限公司 发明人 李平
分类号 H01L27/146(2006.01)I 主分类号 H01L27/146(2006.01)I
代理机构 北京轻创知识产权代理有限公司 11212 代理人 杨立
主权项 一种影像传感器的制造方法,其特征在于,包括以下步骤:步骤一,在晶圆上刻蚀出需要填充的沟槽及通孔;步骤二,对所述沟槽及通孔的拐角处使用气体流量为30sccm~200sccm、射频功率为500W~1500W的惰性气体轰击,对所述拐角进行倒角处理,使所述沟槽及通孔开口增大;步骤三,使用等离子体刻蚀法刻蚀所述沟槽及通孔拐角处,使所述沟槽及通孔的拐角圆滑;步骤四,往所述沟槽及通孔中通过电镀方式填充铜。
地址 430205 湖北省武汉市东湖开发区高新四路18号