衬底处理装置、衬底处理方法及半导体装置的制造方法

摘要

本发明提供一种衬底处理装置、衬底处理方法及半导体装置的制造方法，衬底处理装置具有以层合的状态收纳多个衬底的处理室、对衬底和处理室内的环境气体进行加热的加热装置、供给热分解的原料气体的第一气体供给装置、供给氧化气体的第二气体供给装置、排出处理室内的环境气体的排出装置、至少对第一、第二气体供给装置及排出装置进行控制的控制部，第一气体供给装置还具有至少一个向处理室导入原料气体的第一导入口，第一导入口避开衬底侧而开口，第二气体供给装置还具有至少一个向处理室导入氧化气体的第二导入口，第二导入口向着衬底侧开口，控制部控制第一、第二气体供给装置及排出装置，以便向处理室交替地供给原料气体和氧化气体并排气，从而在衬底上生成所需要的膜。

主权项

一种衬底处理装置，具有：反应管，对以层合的状态收纳多个衬底并在下部侧设有内部的环境气体的排出部而构成的处理室进行划分，所述反应管具有侧壁部、形成为圆顶状的顶部以及连接所述侧壁部和所述顶部的连接部；加热装置，对所述衬底和所述处理室内的环境气体进行加热；从所述处理室的顶部附近向所述处理室内供给原料气体和惰性气体的第一气体供给装置，所述原料气体在由所述加热装置加热的所述处理室内的环境气体的温度下发生自分解；向所述处理室内供给氧化气体和惰性气体的第二气体供给装置；与所述处理室的下部连通，从所述处理室的下部侧排出所述处理室内的环境气体的排出装置；以及对所述第一气体供给装置、所述第二气体供给装置以及所述排出装置进行控制的控制部，所述第一气体供给装置具有第一喷嘴，所述第一喷嘴沿着多个所述衬底的层合方向从所述反应管的下部延伸到所述反应管的顶部附近且延伸成面对着所述连接部附近，在其前端部具有向所述处理室内导入所述原料气体和所述惰性气体的第一导入口，所述第一导入口以使得所述原料气体和所述惰性气体主要通过扩散而供给至所述衬底的方式避开收纳于所述处理室内的所述衬底侧的方向并以朝向作为与所述处理室的下部方向相反的方向的顶部方向将所述原料气体和所述惰性气体从所述连接部附近向所述处理室内导入的方式而开口，所述第二气体供给装置具有第二喷嘴，所述第二喷嘴沿着多个所述衬底的层合方向从所述反应管的下部延伸到所述反应管的顶部附近，且具有向着收纳于所述处理室内的衬底侧的方向而开口并向所述处理室内导入所述氧化气体和所述惰性气体的多个第二导入口，所述控制部控制所述第一气体供给装置、所述第二气体供给装置以及所述排出装置，以便依次进行从所述第一导入口向所述处理室供给所述原料气体的处理、从所述第一导入口和所述第二导入口向所述处理室供给所述惰性气体的处理、从所述多个第二导入口向所述处理室供给所述氧化气体的处理，从而以所述原料气体和所述氧化气体不相互混合的方式进行供给，在所述衬底上生成所需要的膜。