发明名称 |
电感结构 |
摘要 |
一种电感器(100)、一种带有附着的集成电路(2160)的集成电感器件(2100)以及一种变压器(3800)各自包括位于半导体晶圆(110)上方的厚线圈结构(126),以及都与厚线圈结构(126)集成在一起从而提供改善的电感值的底部磁芯段(120)和顶部磁芯段(180)。 |
申请公布号 |
CN102934180B |
申请公布日期 |
2016.01.20 |
申请号 |
CN201180028266.1 |
申请日期 |
2011.05.30 |
申请人 |
美国国家半导体公司 |
发明人 |
P·斯迈斯;A·帕普 |
分类号 |
H01F17/00(2006.01)I;H01F27/28(2006.01)I |
主分类号 |
H01F17/00(2006.01)I |
代理机构 |
北京纪凯知识产权代理有限公司 11245 |
代理人 |
赵蓉民 |
主权项 |
一种在常规半导体结构上形成电感结构的方法,包含:提供常规形成的半导体晶圆,所述常规形成的半导体晶圆中形成有空腔,所述空腔的底表面利用第一非导电材料铺垫;提供第一磁芯结构,其中所述第一磁芯结构以常规方式在单独工艺中形成,所述第一磁芯结构用选自(Co)NiFe、NiZn的合金的材料实施;使用常规贴片机将所述第一磁芯结构放置在所述空腔中,以及将所述第一磁芯结构粘合地附着到所述半导体晶圆中的所述空腔的底部;淀积第二非导电层,使其接触所述第一磁芯结构的顶表面,填充剩余的所述空腔;使用常规光刻方法打开所述第二非导电层中的多个开口以暴露所述第一磁芯结构的顶表面;形成具有末端的第一线圈,使其接触所述第二非导电层并位于所述第一磁芯结构的一部分的上方;淀积第三非导电层,使其接触所述第一磁芯结构的顶表面和所述第二非导电层的顶表面;使用常规光刻方法在所述第三非导电层中形成开口以暴露所述第一磁芯结构的所述顶表面;提供第二磁芯结构,其中所述第一磁芯结构以常规方式在单独工艺中形成,所述第二磁芯结构用选自(Co)NiFe、NiZn的合金的材料实施;以及使用常规贴片机将所述第二磁芯结构放置在所述第三非导电层的所述开口中以使其接触所述第三非导电层的所述顶表面,以及将所述第二磁芯结构粘合地附着到所述第三非导电层,所述第二磁芯结构能够接触但不能附着到所述第一磁芯结构;提供常规后端加工步骤,所述常规后端加工步骤包括形成覆盖电感结构的钝化层和形成使所述线圈的末端的顶表面暴露的开口;以及在划片和引线键合之前,在所述线圈的末端上淀积选自铝、铝‑铜或金的组的金属。 |
地址 |
美国加利福尼亚州 |