发明名称 |
适用于选择性地直流或交流耦合的集成电路 |
摘要 |
适用于在耦合点选择性地直流或交流耦合到外部设备的集成电路。该集成电路包括用于交流耦合的经由耦合电容联接到耦合点的第一联接器;用于直流耦合的联接到耦合点的第二联接器;以及选择性短接该第一和第二联接器的开关,并且因此当该集成电路是直流耦合到该设备时,短接该耦合电容。该开关可以是包括互联在该第一联接器和第二联接器之间的开关控制MOSFET的MOSFET电桥,该开关控制MOSFET在其栅极接收模式状态信号以接通该开关控制MOSFET,进而当该集成电路直流耦合到外部设备时短接该MOSFET电桥。该MOSFET电桥也包括与该开关控制MOSFET串联的多个动态偏压n MOSFET以便保护该开关控制MOSFET免受高外部电源电压的破坏,以及与该开关控制MOSFET并联的多个动态偏压p MOSFET。 |
申请公布号 |
CN102484417B |
申请公布日期 |
2016.01.20 |
申请号 |
CN201080040717.9 |
申请日期 |
2010.09.14 |
申请人 |
ATI科技无限责任公司 |
发明人 |
亚明·杜;理查德·冯;普亚·阿什蒂亚尼 |
分类号 |
H02M1/10(2006.01)I;H03K17/687(2006.01)I |
主分类号 |
H02M1/10(2006.01)I |
代理机构 |
上海胜康律师事务所 31263 |
代理人 |
李献忠 |
主权项 |
适用于选择性地直流或交流耦合到外部设备的集成电路芯片,所述集成电路芯片包括:在所述集成电路芯片上的第一联接器,其经由在所述集成电路芯片外部的耦合电容联接到所述集成电路芯片外部的耦合点以将该集成电路芯片交流耦合至所述外部设备;在所述集成电路芯片上的第二联接器,其联接到所述集成电路芯片外部的所述耦合点以将该集成电路芯片直流耦合至所述外部设备;集成在所述集成电路芯片上的开关逻辑,其通过所述集成电路芯片选择性地互连所述集成电路芯片的所述第一联接器和所述第二联接器,从而当所述集成电路芯片是经由所述第二联接器直流耦合到所述外部设备时,短接所述耦合电容。 |
地址 |
加拿大安大略省 |