发明名称 一种抗高温氧化薄膜传感器及其生产方法
摘要 该发明属于抗高温氧化薄膜传感器及其生产方法。其薄膜传感器包括待测合金基板及附着于其顶面的NiCrAlY合金过渡层,过渡层以上依次为氧化铝/氮化铝过渡层、氧化铝/氮化铝陶瓷绝缘层、由各电极组成的传感器功能层及其Si<sub>3</sub>N<sub>4</sub>隔离层以及设于隔离层上的氧化铝保护层;其生产方法包括合金基板的表面处理,在合金基板上沉积NiCrAlY合金过渡层,金属铝的析出,氧化或氮化处理,设置Al<sub>2</sub>O<sub>3</sub>/AlN陶瓷绝缘层,设置薄膜传感器功能层及其Si<sub>3</sub>N<sub>4</sub>隔离层,设置Al<sub>2</sub>O<sub>3</sub>保护层。该发明中设置的Si<sub>3</sub>N<sub>4</sub>隔离层能有效阻挡绝缘层及氧化铝保护层在高温环境下分解出的氧原子向功能层的扩散,提高传感器在高温高压工作环境下使用的稳定性和可靠性,为涡轮发动机的研究和设计提供相应的、更为精确的基础数据。
申请公布号 CN103266320B 申请公布日期 2016.01.20
申请号 CN201310207942.2 申请日期 2013.05.30
申请人 电子科技大学 发明人 蒋洪川;吴勐;陈寅之;蒋书文;刘兴钊;张万里
分类号 C23C28/00(2006.01)I 主分类号 C23C28/00(2006.01)I
代理机构 电子科技大学专利中心 51203 代理人 李明光
主权项 一种抗高温氧化薄膜传感器,包括待测合金基板及附着于其顶面的NiCrAlY(镍铬铝钇)合金过渡层,过渡层以上依次为氧化铝/氮化铝过渡层、氧化铝/氮化铝陶瓷绝缘层、由各电极组成的传感器功能层及其Si<sub>3</sub>N<sub>4</sub>隔离层以及设于隔离层上的氧化铝保护层,关键在于当绝缘层为Al<sub>2</sub>O<sub>3</sub>时,在Al<sub>2</sub>O<sub>3</sub>绝缘层与Al<sub>2</sub>O<sub>3</sub>保护层之间设置Si<sub>3</sub>N<sub>4</sub>隔离层,而传感器功能层中的各电极则分别设于隔离层内;当绝缘层为AlN时,传感器功能层中各电极设于AlN绝缘层上后,在AlN绝缘层和功能层的各电极与Al<sub>2</sub>O<sub>3</sub>保护层之间设置Si<sub>3</sub>N<sub>4</sub>隔离层;其中NiCrAlY合金过渡层通过磁控溅射方法沉积于金属基板顶面,Al<sub>2</sub>O<sub>3</sub>/AlN过渡层由NiCrAlY合金过渡层析出的金属铝经直接氧化或氮化处理而成,Al<sub>2</sub>O<sub>3</sub>/AlN绝缘层则分别与相应的Al<sub>2</sub>O<sub>3</sub>过渡层或AlN过渡层紧密连接,隔离层或通过化学气相沉积于Al<sub>2</sub>O<sub>3</sub>绝缘层上、而功能层中各电极设于该隔离层内或通过化学气相沉积直接沉积于AlN绝缘层及功能层中各电极上,Al<sub>2</sub>O<sub>3</sub>保护层则蒸镀于隔离层的上表面;所述Si<sub>3</sub>N<sub>4</sub>隔离层采用PECVD方法制备,当绝缘层为Al<sub>2</sub>O<sub>3</sub>时,Si<sub>3</sub>N<sub>4</sub>隔离层厚度为2.5‑3μm,功能层中各电极设于该隔离层的中截面位置上;当绝缘层为AlN时,Si<sub>3</sub>N<sub>4</sub>隔离层厚度为1.5‑1.8μm。
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