发明名称 基板的再生方法、掩模坯体的制造方法、带多层反射膜的基板和反射型掩模坯体的制造方法
摘要 本发明涉及一种使基板再生的方法,该方法通过除去在由玻璃构成的基板的主表面上具备图案形成用的薄膜的掩模坯体、或使用该掩模坯体制作的转印用掩模的所述薄膜,从而使基板再生,该方法中,通过使掩模坯体或转印用掩模的薄膜与含有氯(Cl)、溴(Br)、碘(I)、和氙(Xe)中的任意元素与氟(F)的化合物的非激发状态的物质接触并将其除去,从而使基板再生。
申请公布号 CN102109756B 申请公布日期 2016.01.20
申请号 CN201010547438.3 申请日期 2010.11.15
申请人 HOYA株式会社 发明人 桥本雅广;野泽顺
分类号 G03F1/60(2012.01)I;G03F1/62(2012.01)I 主分类号 G03F1/60(2012.01)I
代理机构 北京三友知识产权代理有限公司 11127 代理人 丁香兰;庞东成
主权项 一种基板的再生方法,该方法通过除去掩模坯体或使用该掩模坯体制作的转印用掩模的薄膜而使基板再生,所述薄膜是所述掩模坯体的由玻璃构成的基板的主表面上具备的图案形成用的薄膜,其中,使所述掩模坯体或所述转印用掩模的所述薄膜与含有下述化合物的非激发状态的物质接触,并将所述薄膜除去,所述化合物是ClF<sub>3</sub>、ClF、BrF<sub>5</sub>、BrF、IF<sub>3</sub>、IF<sub>5</sub>、XeF<sub>2</sub>、XeF<sub>4</sub>、XeF<sub>6</sub>、XeOF<sub>2</sub>、XeOF<sub>4</sub>、XeO<sub>2</sub>F<sub>2</sub>、XeO<sub>3</sub>F<sub>2</sub>和XeO<sub>2</sub>F<sub>4</sub>中的任一种化合物。
地址 日本东京都