发明名称 存储单元以及存储阵列
摘要 本发明公开的一种存储单元包括:第一、第二和第三列器件。第一列器件包括第一下拉晶体管、第二下拉晶体管、第一开关以及第二开关。第二列器件包括第三下拉晶体管、第四下拉晶体管、第三开关,以及第四开关。第三列器件包括第一上拉晶体管以及第二上拉晶体管。第一上拉晶体管、第一下拉晶体管以及第三下拉晶体管被连接成为第一反相器,以及第二上拉晶体管、第二下拉晶体管以及第四下拉晶体管被连接成为第二反相器。第一反相器和第二反相器交叉连接。第一开关、第二开关、第三开关以及第四开关与第一及第二反相器的输出端连接。本发明还公开了存储阵列。
申请公布号 CN103310835B 申请公布日期 2016.01.20
申请号 CN201310014727.0 申请日期 2013.01.15
申请人 台湾积体电路制造股份有限公司 发明人 林子贵;廖宏仁;廖忠志;陈炎辉
分类号 G11C11/413(2006.01)I;G11C5/02(2006.01)I 主分类号 G11C11/413(2006.01)I
代理机构 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 代理人 章社杲;孙征
主权项 一种存储单元,包括:第一数据节点、第一互补数据节点、第二数据节点以及第二互补数据节点;第一下拉晶体管、第二下拉晶体管、第一开关和第二开关,沿第一方向对准成为第一列器件;第三下拉晶体管、第四下拉晶体管、第三开关和第四开关,沿所述第一方向对准成为第二列器件;以及第一上拉晶体管和第二上拉晶体管,沿所述第一方向对准成为第三列器件;所述第一上拉晶体管、所述第一下拉晶体管以及所述第三下拉晶体管被连接成为第一反相器,所述第一反相器具有第一输出端;所述第二上拉晶体管、所述第二下拉晶体管以及所述第四下拉晶体管被连接成为第二反相器,所述第二反相器具有第二输出端;所述第一反相器和所述第二反相器交叉连接,以及(1)所述第一开关将所述第一输出端与所述第一数据节点连接;(2)所述第二开关将所述第一输出端与所述第二数据节点连接;(3)所述第三开关将所述第二输出端与所述第一互补数据节点连接;以及(4)所述第四开关将所述第二输出端与所述第二互补数据节点连接。
地址 中国台湾新竹