半导体装置及其制造方法

摘要

本发明提供一种半导体装置及其制造方法，用于堆叠裸片的隔离结构。该制造方法包括：于一半导体基底中形成硅穿孔，并薄化该半导体基底的背侧以露出硅穿孔。形成一隔离层于半导体基底的背侧与硅穿孔上，并薄化隔离层以重新露出硅穿孔。之后，形成一导电元件于硅穿孔上。本发明中提供的隔离结构，其围绕露出的硅穿孔，因此提供一较大的湿润表面，使焊球和基板之间可形成良好的电性连接。如此一来，可增加焊球的密度。此外，隔离层也可增加接合界面的机械强度。

主权项

一种半导体装置，包括：一半导体基底，其具有相对的电路侧与背侧；多个硅穿孔，延伸进入该半导体基底，且每一硅穿孔具有一突出部，突出于该半导体基底的背侧；一隔离层，位于该半导体基底的背侧且介于相邻的硅穿孔之间，该隔离层未延伸超过每一硅穿孔的突出部的顶端；以及一导电元件，位于每一硅穿孔的突出部上，其中，该导电元件包含焊球，且所述导电元件直接位于每一硅穿孔的突出部上；并且，所述半导体装置还包括：一蚀刻停止层，位于所述电路侧；一内层介电层，其中，所述蚀刻停止层位于所述内层介电层和所述半导体基底之间，并且与每一硅穿孔的底部直接接触；一电路，位于所述半导体基底的电路侧；接触插塞，形成于内层介电层中以提供电性接触至电路。