一种浪涌保护电路及其制造方法

摘要

本发明涉及电子电路及半导体技术，具体的说是涉及一种可编程浪涌保护电路及其制造方法。本发明所述的一种浪涌保护电路，由2只第一种导电类型的MOSFET、2只第二种导电类型的MOSFET、2只第一种导电类型的门极晶闸管和2只第二种导电类型的门极晶闸管构成，主要是利用MOSFET的漏源电流来控制晶闸管的通断，从而泄放浪涌电流，并提出了制造该浪涌电路的方法。本发明的有益效果为，具有响应速度快（ns级）、承受电压电流冲击能力强的优点，并能同时实现双线双向浪涌保护，还可根据需要调节保护器件对浪涌电压的敏感度。本发明尤其适用于浪涌保护电路。

主权项

一种浪涌保护电路，其特征在于，包括2只第一种导电类型的MOSFET、2只第二种导电类型的MOSFET、2只第一种导电类型的门极晶闸管和2只第二种导电类型的门极晶闸管，所述2只第一种导电类型的MOSFET的栅极短接引出第一电极GN、源极分别与2只第二种导电类型的门极晶闸管的门极短接，所述2只第二种导电类型的门极晶闸管的阳极短接，所述2只第二种导电类型的MOSFET的栅极短接引出第二电极GP、源极分别与2只第一种导电类型的门极晶闸管的门极短接，所述2只第一种导电类型的门极晶闸管的阴极短接，所述2只第二种导电类型的门极晶闸管中的1只第二种导电类型的门极晶闸管的阴极和2只第一种导电类型的门极晶闸管中的1只第一种导电类型的门极晶闸管的阳极短接引出第三电极TIP，所述2只第二种导电类型的门极晶闸管中的另1只第二种导电类型的门极晶闸管的阴极和2只第一种导电类型的门极晶闸管中的另1只第一种导电类型的门极晶闸管的阳极短接引出第四电极RING，所述第一种导电类型的MOSFET的漏极、第二种导电类型的MOSFET的漏极、第一种导电类型的门极晶闸管的阴极、第二种导电类型的门极晶闸管的阳极短接形成电极GND；所述第一种导电类型的MOSFET为N沟道MOSFET，第二种导电类型的MOSFET为P沟道MOSFET；所述N沟道MOSFET包括第一N型半导体衬底(14)，所述第一N型半导体衬底(14)的一端设置有第一P阱(16)，所述第一P阱(16)中设置有第一N阱(17)，所述第一N阱(17)外侧与第一P阱(16)内侧的半导体区域上表面设置有第一电介质层(12)，在第一电介质层(12)上表面设置多晶硅层或金属，由第一电介质层(12)和多晶硅或金属构成N沟道MOSFET的栅极结构(13)，所述第一N阱(17)上表面还设置有接触孔和金属构成N沟道MOSFET的源极(19)，所述第一N型半导体衬底(14)中设置第一P区(18)，所述第一P区(18)设置在第一N型半导体衬底(14)的侧面并连接第一N型半导体衬底(14)的一端和另一端，所述第一N型半导体衬底(14)的另一端设置有第一N区(15)，所述第一N型半导体衬底(14)的下表面设置金属层(9)形成N沟道MOSFET的漏极；所述P沟道MOSFET包括第二N型半导体衬底(10)，所述第二N型半导体衬底(10)中设置有第二P区(3)，所述第二P区(3)中设置有第二N阱(4)，所述第二N阱(4)中设置有第二P阱(5)，所述第二P阱(5)外侧与第二N阱(4)内侧的半导体区域上表面设置有第二电介质层(6)，在第二电介质层(6)上表面设置多晶硅或金属，由第二电介质层(6)和多晶硅层或金属构成P沟道MOSFET的栅极结构(7)，所述第二P阱(5)上表面还设置有接触孔和金属构成P沟道MOSFET的源极(8)，所述第二N型半导体衬底(10)中还设置有第三P区(2)，所述第三P区(2)设置在二N型半导体衬底(10)的侧边并连接第二N型半导体衬底(10)的一端和另一端，所述第二N型半导体衬底(10)的下表面设置第一金属层(9)形成P沟道MOSFET的漏极，N沟道MOSFET与P沟道MOSFET之间通过第四P区(11)连接。