SiC单晶的制造方法

摘要

提供即使形成弯液面、进行晶体生长的情况下，也可以提高单晶的品质的SiC单晶的制造方法。本实施方式的制造方法中的生长工序包含形成工序和第一维持工序。形成工序中，在SiC单晶的生长界面与Si-C溶液的液面之间形成弯液面。第一维持工序中，使籽晶轴和坩埚中的至少一者相对于另一者在高度方向相对移动，由此将弯液面的高度的变动幅度维持于规定范围内。

主权项

一种制造方法，其通过溶液生长法制造SiC单晶，所述制造方法具备下述工序：准备工序，准备包含收纳Si‑C溶液的原料的坩埚、和安装SiC籽晶的籽晶轴的制造装置；生成工序，将所述坩埚内的原料加热、熔融，生成所述Si‑C溶液；和生长工序，使所述Si‑C溶液与所述SiC籽晶接触，使所述SiC单晶在所述SiC籽晶上生长，所述生长工序包括下述工序：形成工序，在所述SiC单晶的生长界面与所述Si‑C溶液的液面之间形成弯液面；和第一维持工序，使所述籽晶轴和所述坩埚中的至少一者相对于另一者在高度方向相对移动，由此将所述弯液面的高度的变动幅度维持于规定范围内。