发明名称 一种微机电系统封装方法
摘要 本发明公开了一种微机电系统封装方法,属于集成电路封装技术领域。所述方法包括:将P(EO)n-LiX与金属材料进行静电键合,所述P(EO)n-LiX的n=4—60,X=SCN,N(CF<sub>3</sub>SO<sub>2</sub>)<sub>2</sub>,C1O<sub>4</sub>,CF<sub>3</sub>SO<sub>3</sub>。本发明通过组分的设计和添加剂的调整,制备出适合与金属材料键合的离子导电高分子固体电解质材料P(EO)n—LiX。
申请公布号 CN103708412B 申请公布日期 2016.01.20
申请号 CN201310533362.2 申请日期 2013.10.29
申请人 太原科技大学 发明人 刘荣;阴旭;南粤;杜超
分类号 B81C1/00(2006.01)I;B81B7/00(2006.01)I 主分类号 B81C1/00(2006.01)I
代理机构 代理人
主权项 一种微机电系统封装方法,其特征在于,所述方法包括:将P(EO)n‑LiX与金属材料进行静电键合,所述P(EO)n‑LiX的n=4‑60,X=SCN,N(CF<sub>3</sub>SO<sub>2</sub>)<sub>2</sub>,ClO<sub>4</sub>,CF<sub>3</sub>SO<sub>3</sub>;所述方法还包括:采用高压脉冲电源设备对所述P(EO)n‑LiX与金属材料进行静电键合;所述高压脉冲电源设备可输出直流与脉冲方波两种状态;所述静电键合采用正交试验法和回归分析法,结合第一性原理模拟优化设计结果,确定工艺参数,所述工艺参数包括温度、电场强度、电流、压力、反应时间、添加剂百分比;所述静电键合过程中应用有限元软件,分析温度场和应力应变场的分布规律;所述静电键合过程中通过建立离子导电聚合物与金属静电键合模型,设计封装结构。
地址 030024 山西省太原市万柏林区窊流路66号