用于制造浅且窄沟槽FET以及相关结构的方法

摘要

公开了一种用于制造浅且窄沟槽场效应晶体管(沟槽FET)的方法。该方法包括在第一导电型的半导体基底内形成沟槽，所述沟槽包括侧壁和底部部分。该方法还包括在所述沟槽中形在成实质上一致的栅极绝缘层，并且在所述沟槽内和所述栅极绝缘层上形成栅电极。该方法还包括对所述半导体基底进行掺杂，以便在形成所述沟槽之后形成第二导电型的沟道区域。在一个实施方式中，在形成了栅极绝缘层之后，并且在形成了栅电极之后执行掺杂步骤。在另一个实施方式中，在形成栅极绝缘层之后，但在形成栅电极之前执行掺杂步骤。还公开了通过本发明的方法形成的结构。

主权项

一种用于制造浅且窄沟槽场效应晶体管的方法，包括：在第一导电型的半导体基底内形成沟槽，所述沟槽包括侧壁，所述侧壁逐渐变细成为底部部分；在所述沟槽中形成一致的栅极绝缘层；在所述沟槽内和所述栅极绝缘层上形成栅电极，所述栅电极与所述半导体基底的顶面共面；在形成所述沟槽之后，对所述半导体基底进行掺杂，以便形成第二导电型的沟道区域。