| 发明名称 | OTP器件及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明实施例公开了一种OTP器件及其制造方法，该OTP器件包括：基底；位于所述基底上的存储单元，所述存储单元包括：由下至上顺序排列的栅介质层、浮栅、叠层介质层和控制栅；位于所述存储单元两侧的侧墙；位于所述存储单元上、且覆盖所述侧墙的保护层。本发明所提供的OTP器件，在存储单元及侧墙上覆盖有保护层，所述保护层可阻挡存储单元外围的可动离子对存储单元内的电荷造成影响，同时避免存储单元内的电荷泄露，因此，所述保护层能够提高存储单元保存电荷的能力，即可提高OTP器件的数据保持力。 | ||
| 申请公布号 | CN102916013B | 申请公布日期 | 2016.01.20 |
| 申请号 | CN201110222832.4 | 申请日期 | 2011.08.04 |
| 申请人 | 无锡华润上华半导体有限公司 | 发明人 | 张花威;马春霞;王德进 |
| 分类号 | H01L27/115(2006.01)I;H01L21/8247(2006.01)I | 主分类号 | H01L27/115(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 常亮;李辰 |
| 主权项 | 一种OTP器件，其特征在于，包括：基底；位于所述基底上的存储单元，所述存储单元包括：由下至上顺序排列的栅介质层、浮栅、叠层介质层和控制栅；位于所述存储单元两侧的侧墙；位于所述存储单元上、且覆盖所述侧墙的保护层，所述保护层为氮化硅层；还包括保护栅，所述保护栅位于所述控制栅之上，且所述保护栅为多晶硅；其中，所述控制栅包括多晶硅栅和金属硅化物；所述叠层介质层包括：由下至上顺序排列的底层氧化层、中间氮化硅层和顶层氧化层；其中，所述底层氧化层通过热氧化工艺而形成，所述底层氧化层的厚度为<img file="FDA0000785265220000011.GIF" wi="166" he="70" /> | ||
| 地址 | 214028 江苏省无锡市国家高新技术产业开发区汉江路5号 | ||