一种具有高K绝缘区的横向功率器件

摘要

本发明提供了一种具有高K绝缘区的横向功率器件，它是在功率器件的漂移区内部引入具有高介电常数的绝缘柱区，所述的高K绝缘区与N型柱区交替排列，绝缘柱区延伸至半导体体区的内部。具有高介电常数的绝缘区具有降场的作用，通过增大绝缘柱区的介电常数能够优化漂移区的表面电场分布及最优漂移区浓度，从而提高器件的耐压特性与导通特性。采用该结构制造的横向扩散场效应晶体管LDMOS、横向PN二极管、或横向绝缘栅双极型晶体管LIGBT具有击穿电压高，导通电阻低，工艺简单，成本低廉等优点。

主权项

一种具有高K绝缘区的横向功率器件，其特征在于：它包括位于最下方的衬底(1)，位于衬底(1)上方的外延层(2)，所述外延层包括：位于外延层顶部一侧的半导体漏区(5)、位于外延层另一侧的半导体体区(6)、半导体体区(6)中具有半导体源区(8)和半导体体接触区(7)、位于所述半导体漏区和半导体体区之间的漂移区；所述漂移区由交替排布的N型半导体区域(3)和高K绝缘体区域(4)构成，其中高k绝缘体区域(4)在靠近半导体体区(6)的宽度大于其靠近半导体漏区(5)的宽度，而半导体区域(3)在靠近半导体体区(6)的宽度小于其靠近半导体漏区(5)的宽度，该横向功率器件表面与半导体漏区(5)接触的是漏极金属(12)，与半导体源区(8)和半导体体接触区(7)接触的是源极金属(11)，半导体体区(6)表面分别和半导体源区(8)与漂移区接触的是栅氧化层(9)，栅氧化层(9)上方的是栅极(10)。