| 发明名称 |
半导体装置及电子装置 |
| 摘要 |
明的一个方式的目的之一是提供一种集成度高的半导体装置。其中，第一半导体的第一区域与第二半导体的第一区域互相重叠，第一导电体的第一区域与第一半导体的第一区域隔着第一绝缘体互相重叠，第二导电体的第一区域与第二半导体的第一区域隔着第二绝缘体互相重叠，第三导电体的第一区域与第一半导体的第二区域接触，第三导电体的第二区域与第二半导体的第二区域接触，第四导电体的第一区域与第一导电体的第二区域接触，并且，第四导电体的第二区域与第二导电体的第二区域接触。
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| 申请公布号 |
TW201603251 |
申请公布日期 |
2016.01.16 |
| 申请号 |
TW104111452 |
申请日期 |
2015.04.09 |
| 申请人 |
半导体能源研究所股份有限公司 |
发明人 |
山崎舜平;热海知昭;远藤佑太 |
| 分类号 |
H01L27/12(2006.01);H01L29/04(2006.01);H01L29/16(2006.01);H01L29/24(2006.01);H01L29/786(2006.01) |
主分类号 |
H01L27/12(2006.01) |
| 代理机构 |
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代理人 |
林志刚 |
| 主权项 |
一种半导体装置，包括：第一半导体；第二半导体；第一导电体；第二导电体；第三导电体；第四导电体；第一绝缘体；以及第二绝缘体，其中，该第一半导体的第一区域与该第二半导体的第一区域互相重叠，该第一导电体的第一区域与该第一半导体的该第一区域隔着该第一绝缘体互相重叠，该第二导电体的第一区域与该第二半导体的该第一区域隔着该第二绝缘体互相重叠，该第三导电体的第一区域与该第一半导体的第二区域接触，该第三导电体的第二区域与该第二半导体的第二区域接触，该第四导电体的第一区域与该第一导电体的第二区域接触，并且，该第四导电体的第二区域与该第二导电体的第二区域接触。
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| 地址 |
日本 |
