接面场效电晶体、半导体装置及其制造方法

摘要

接面闸极场效电晶体(junction gate field-effect transistor，JFET)包含基板、源极区域形成于基板中、汲极区域形成于基板中、通道区域形成于基板中和至少一闸极区域形成于基板中。通道区域连接源极区域与汲极区域。至少一闸极区域于一个界面接触源极区域与汲极区域之其中一者，该至少一闸极区域和源极区域与汲极区域之另一者隔离。介电层覆盖所述界面，同时暴露出闸极区域之一部分，及源极区域与汲极区域之其中一者的一部分。

主权项

一种接面场效电晶体，包含：一基板；一源极区域形成于该基板中；一汲极区域形成于该基板中；一通道区域形成于该基板中，该通道区域连接该源极区域与该汲极区域；至少一闸极区域形成于该基板中，该至少一闸极区域于一界面接触该源极区域与该汲极区域之其中一者，该至少一闸极区域和该源极区域与该汲极区域之另一者隔离；以及一介电层覆盖该界面，同时暴露出该闸极区域之一部分，及该源极区域与该汲极区域之其中一者的一部分。