发明名称 |
半导体记忆体装置及操作其之方法 |
摘要 |
本发明的一实施例的一种半导体记忆体装置包含分别耦接至一第一字线群组以及一第二字线群组的一第一胞串以及一第二胞串。一种操作所述半导体记忆体装置的方法可包含藉由施加一通过电压至所述第二字线群组以在所述第二胞串中形成一通道;透过所述位元线以将在所述第一胞串的记忆胞中耦接至所述第一字线群组的一所选的字线的一所选的记忆胞的资料反映在所述第二胞串的通道上;以及藉由透过所述位元线以感测所述第二胞串的一电荷量,来判断所选的记忆胞的资料。
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申请公布号 |
TW201603045 |
申请公布日期 |
2016.01.16 |
申请号 |
TW104100531 |
申请日期 |
2015.01.08 |
申请人 |
爱思开海力士有限公司 |
发明人 |
林仁根;李珉圭 |
分类号 |
G11C7/18(2006.01);G11C7/12(2006.01) |
主分类号 |
G11C7/18(2006.01) |
代理机构 |
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代理人 |
阎启泰;林景郁 |
主权项 |
一种半导体记忆体装置的操作方法,所述半导体记忆体装置包含共用一位元线并且分别耦接至一第一字线群组以及一第二字线群组的一第一胞串以及一第二胞串,所述操作方法包括:藉由施加一第一通过电压至所述第二字线群组,以在所述第二胞串中形成一通道;透过所述位元线以将在所述第一胞串的记忆胞中耦接至所述第一字线群组的一所选的字线的一所选的记忆胞的资料反映在所述第二胞串的所述通道上;以及藉由透过所述位元线以感测所述第二胞串的一电荷量,来判断所选的记忆胞的资料。
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地址 |
南韩 |