减小曝露于含卤素电浆下之表面腐蚀速率的方法与设备

摘要

明提供了一种对于半导体处理中使用的含卤素电浆具抗腐蚀性的陶瓷物件。该陶瓷物件包括典型地包括两相至三相的多相陶瓷。在第一实施例中，该陶瓷系由以下成分形成：莫耳浓度介于约50mole%(莫耳百分比)~约75mole%的氧化钇；莫耳浓度介于约10mole%~约30mole%的氧化锆；以及至少一其他成分，该成分系选自由氧化铝、氧化铪、氧化钪、氧化钕、氧化铌、氧化钐、氧化镱、氧化铒、氧化铈及其组合所组成之群组，且该至少一其他成分之浓度系介于约10mole%~约30mole%。在第二实施例中，陶瓷物件包括一陶瓷，其系由以下成分形成：莫耳浓度介于约90mole%~约70mole%的氧化钇，以及莫耳浓度介于约10mole%~约30mole%的氧化锆，其中所述陶瓷的平均晶粒尺寸系介于约2μm~约8μm。在第三实施例中，该陶瓷物件系包括由莫耳浓度介于约96mole%~约94mole%的氧化锆，以及莫耳浓度介于约4mole%~约6mole%的氧化钇所形成的陶瓷。

主权项

一种陶瓷物件，该陶瓷物件具有一主体与位在该主体之一表面上的一陶瓷涂层，其中该陶瓷涂层由下述材料形成：莫耳浓度范围从约50mole%至约75mole%的氧化钇；莫耳浓度范围从约10mole%至约30mole%的氧化锆；以及至少一种其他成分，该至少一种其他成分是由氧化铝、氧化铪、氧化钪、氧化钕、氧化铌、氧化钐、氧化镱、氧化铒、氧化铈、及前述材料之组合所构成之群组选出，其中该至少一种其他成分的浓度范围是从约10mole%至约30mole%。