| 摘要 |
L'invention concerne un capteur d'images CMOS comportant un pixel (300) comportant : une photodiode (101) en série avec un transistor MOS (103) entre un premier potentiel de référence (GND) et un noeud de lecture (SN) ; un transistor MOS (105) reliant le noeud de lecture (SN) à un deuxième potentiel de référence (VDDH) ; et un troisième transistor MOS (307) monté en source suiveuse entre le noeud de lecture (SN) et un circuit de lecture, dans lequel l'épaisseur d'oxyde du troisième transistor est inférieure à celle des premier et deuxième transistors, la différence de tension entre les premier et deuxième potentiels de référence est supérieure à la tension maximale pouvant être appliquée entre deux bornes du troisième transistor, et la région de corps ou de drain du troisième transistor est reliée à un troisième potentiel de référence (VL) compris entre les premier et deuxième potentiels. |
