发明名称 |
量子级联激光器相干阵列结构、激光器及其制造方法 |
摘要 |
一种量子级联激光器相干阵列结构,包括:一衬底;一下波导层;一有源层,该有源层在横向被分成若干个不等宽度的微米条阵列,中间的微米条最宽,向两侧微米条宽度依次递减;一半绝缘InP:Fe层,该半绝缘InP:Fe层位于有源层的两侧且等宽度用来隔离微米条阵列;一上波导层。以及一种采用该相干阵列结构的量子级联激光器及其制造方法。本发明通过啁啾的有源脊宽度设计调整了微米条阵列间的增益分配,使基超模具有最低的波导损耗从而优先激射,从而改善了光束质量,同时利用半绝缘InP作为有源层的分隔区和光场的耦合区,不但实现了阵列的相干激射而且显著降低了有源区的工作温度,从而有利于提高器件的输出功率。 |
申请公布号 |
CN105244761A |
申请公布日期 |
2016.01.13 |
申请号 |
CN201510706103.4 |
申请日期 |
2015.10.27 |
申请人 |
中国科学院半导体研究所 |
发明人 |
张锦川;刘峰奇;梁平;胡颖;王利军;刘俊岐;王占国 |
分类号 |
H01S5/323(2006.01)I;H01S5/024(2006.01)I;H01S5/42(2006.01)I;H01S5/30(2006.01)I |
主分类号 |
H01S5/323(2006.01)I |
代理机构 |
中科专利商标代理有限责任公司 11021 |
代理人 |
宋焰琴 |
主权项 |
一种量子级联激光器相干阵列结构,包括:一衬底;一下波导层,该下波导层位于该衬底上;一有源层,该有源层位于该下波导层上,且在横向上被分成间隔开来的若干个不等宽度的微米条阵列,其中位于中间的微米条最宽,朝向两侧微米条的宽度依次递减;一半绝缘InP:Fe层,该半绝缘InP:Fe层在横向上被分成间隔开的若干等宽度阵列,位于该有源层的左右两侧及间隔其中,用来隔离所述微米条阵列;一上波导层,该上波导层位于该有源层和半绝缘InP:Fe层上。 |
地址 |
100083 北京市海淀区清华东路甲35号 |