反向阻断型绝缘栅双极晶体管制造方法

摘要

本发明提供反向阻断型绝缘栅双极型晶体管的制造方法，其中当制造具有沿着使用各向异性蚀刻形成的V形凹槽的锥形面所形成的分离层的反向阻断型IGBT时，该方法可确保高度可靠的耐反压性，且当反偏压时抑制漏电流。当用闪光灯辐照来用于向第二导电型分离层和第二导电型集电层注入离子之后的闪光灯退火从而形成第二导电型集电层和第二导电型分离层时，辐射能量的最强部分聚焦在从锥形侧边缘表面的上部到中心部的深度位置上。

主权项

一种反向阻断型绝缘栅双极型晶体管制造方法，包括：在第一导电型半导体衬底的一个主面上形成MOS栅结构；在另一主面上形成第二导电型集电层；沿着通过从所述主面的任一面向另一主面蚀刻来形成的锥形侧边缘表面形成第二导电型分离层，所述分离层用所述导电型相同的层链接所述两个主面，且连接到另一主面的所述第二导电型集电层；以及各自在所述MOS栅结构侧上形成发射金属电极，且在所述第二导电型集电层侧上形成集电金属电极，其中，在向所述第二导电型分离层和第二导电型集电层注入离子后用闪光灯辐照来进行闪光灯退火从而形成所述第二导电型集电层和第二导电型分离层时，辐射能量的最强部分聚焦在从所述锥形侧边缘表面的上部到中心部的深度位置上。