| 发明名称 | 单晶硅制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种磷掺杂单晶硅的制造方法，其特征在于，通过MCZ法从掺杂有磷的硅熔融液中提拉单晶硅，以使所述磷掺杂单晶硅中的磷浓度达到2×10<sup>16</sup>atoms/cm<sup>3</sup>以上的方式来掺杂磷，使中心磁场强度为2,000高斯以上的方式对所述硅熔融液施加水平磁场，由此制造氧浓度为1.6×10<sup>18</sup>atoms/cm<sup>3</sup>(ASTM’79)以上的所述磷掺杂单晶硅。由此，提供一种使氧浓度为1.6×10<sup>18</sup>atoms/cm<sup>3</sup>(ASTM’79)以上且高浓度掺杂磷的单晶硅的制造方法。 | ||
| 申请公布号 | CN105247115A | 申请公布日期 | 2016.01.13 |
| 申请号 | CN201480030832.6 | 申请日期 | 2014.05.08 |
| 申请人 | 信越半导体株式会社 | 发明人 | 樱田昌弘;德江润也;星亮二;布施川泉 |
| 分类号 | C30B29/06(2006.01)I;C30B15/04(2006.01)I | 主分类号 | C30B29/06(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京路浩知识产权代理有限公司 11002 | 代理人 | 谢顺星;张晶 |
| 主权项 | 一种磷掺杂单晶硅的制造方法，其特征在于，通过MCZ法从掺杂有磷的硅熔融液中提拉单晶硅，以使所述磷掺杂单晶硅中的磷浓度为2×10<sup>16</sup>atoms/cm<sup>3</sup>以上的方式来掺杂磷，使中心磁场强度为2,000高斯以上的方式对所述硅熔融液施加水平磁场，由此制造氧浓度为1.6×10<sup>18</sup>atoms/cm<sup>3</sup>(ASTM’79)以上的所述磷掺杂单晶硅。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||