具有应力补偿效应垒层的LED外延结构

摘要

具有应力补偿效应垒层的LED外延结构，涉及发光二极管技术领域。本实用新型结构从下至上依次包括图形化衬底、AlN缓冲层、U型GaN层、N型GaN层、浅量子阱层、有源区、电子阻挡层和P型GaN层。其结构特点是，所述有源区与电子阻挡层之间设有应力补偿效应垒层。所述应力补偿效应垒层从下至上依次包括本征半导体层、N型半导体层和P型半导体层。同现有技术相比，本实用新型通过增加垒层，可以提高电子阻挡效益、增加电动注入、减少效率衰减从而提高辐射复合几率，以达到增强LED内量子效率的目的。

主权项

具有应力补偿效应垒层的LED外延结构，它从下至上依次包括图形化衬底（1）、AlN缓冲层（2）、U型GaN层（3）、N型GaN层（4）、浅量子阱层（5）、有源区（6）、电子阻挡层（7）和P型GaN层（8），其特征在于：所述有源区（6）与电子阻挡层（7）之间设有应力补偿效应垒层（601），所述应力补偿效应垒层（601）从下至上依次包括本征半导体层（611）、N型半导体层（612）和P型半导体层（613）；所述本征半导体层（611）从下至上依次包括U‑GaN层（10）、U‑AlGaN层（11）和U‑InGaN层（12），或者从下至上依次包括U‑AlGaN层（11）、U‑InGaN层（12）和U‑GaN层（10）；所述N型半导体层（612）从下至上依次包括N‑AlGaN层（13）和N‑InGaN层（14），或者从下至上依次包括N‑InGaN层（14）和N‑AlGaN层（13）；所述P型半导体层（613）从下至上依次包括P‑AlGaN层（15）和P‑InGaN层（16），或者从下至上依次包括P‑InGaN层（16）和P‑AlGaN层（15）。