| 发明名称 | 带有凹口的栅电极及其形成方法 | ||
| 摘要 | 一种器件包括半导体衬底，和从该半导体衬底的顶面延伸到半导体衬底内的器件隔离(DI)区。栅极电介质设置在半导体衬底的有源区上方，其中栅极电介质在DI区上方延伸。栅电极设置在栅极电介质上方，其中该栅电极的凹口与该DI区的一部分重叠。本发明提供带有凹口的栅电极及其形成方法。 | ||
| 申请公布号 | CN103378137B | 申请公布日期 | 2016.01.13 |
| 申请号 | CN201210391117.8 | 申请日期 | 2012.10.15 |
| 申请人 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 发明人 | 高敏峰;陈思莹;杨敦年;刘人诚;许慈轩;洪丰基 |
| 分类号 | H01L29/423(2006.01)I;H01L29/78(2006.01)I;H01L21/28(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/423(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人 | 章社杲;孙征 |
| 主权项 | 一种器件，包括：半导体衬底，具有有源区；器件隔离区，围绕所述有源区并从所述半导体衬底的顶面延伸至所述半导体衬底内；栅极电介质，位于所述有源区上方并在所述器件隔离区上方延伸；以及栅电极，位于所述栅极电介质上方，所述栅电极具有与所述器件隔离区的第一部分重叠的第一凹口，其中，所述第一凹口的边缘与所述器件隔离区的边缘对准，所述器件隔离区的边缘接触所述半导体衬底的有源区。 | ||
| 地址 | 中国台湾新竹 | ||