发明名称 基板上薄膜通孔互连制作方法
摘要 本发明提出了一种基板上薄膜通孔互连制作方法,在干净的基板上表面上溅射复合粘附层;在复合粘附层之上进行光刻,形成薄膜导带光刻图形;电镀复合金属层,并在表面电镀Cu层;去胶;在Cu层之上对应通孔柱位置处进行光刻,形成薄膜通孔光刻图形;湿法腐蚀,将裸露表面的Cu层和复合粘附层去除;去胶;旋涂苯丙环丁烯、显影处理,光刻介质膜通孔图形;利用超声显影方法,去除显影残留;湿法腐蚀,去除对应薄膜通孔处裸露的Cu层,在线监控基板直至全部薄膜通孔内裸露出复合金属层;固化BCB介质层,完成基板的薄膜通孔互连。克服了现有技术的工艺复杂、接触电阻大、可靠性低、无法实现在线通孔通断检测等问题,可实现薄膜多层布线的高密度通孔互连。
申请公布号 CN105244313A 申请公布日期 2016.01.13
申请号 CN201510566421.5 申请日期 2015.09.08
申请人 上海航天测控通信研究所 发明人 丁蕾;陈靖;杨旭一;谢慧琴;吴伟伟;刘米丰;王立春
分类号 H01L21/768(2006.01)I 主分类号 H01L21/768(2006.01)I
代理机构 上海汉声知识产权代理有限公司 31236 代理人 胡晶
主权项 一种基板上薄膜通孔互连制作方法,其特征在于,包括以下步骤:(a1)提供一带有多个通孔柱的基板,对基板上表面进行研磨抛光,并对抛光面进行清洗,清洗之后将其干燥处理,清洗并干燥后的基板进行热处理,热处理后对其进行第二次清洗;(a2)在干净的基板上表面上依次溅射TiW和Cu形成复合粘附层;(a3)在基板的复合粘附层之上进行第一次光刻,在基板通孔柱位置处形成薄膜导带光刻图形;(a4)在基板的薄膜导带光刻图形上依次电镀Cu、Ni、Au形成复合金属层,并在复合金属层表面电镀一Cu层;(a5)去除光刻胶;(a6)在基板的Cu层之上对应通孔柱位置处进行第二次光刻,形成覆盖基板通孔柱位置处的薄膜通孔光刻图形;(a7)采用湿法腐蚀工艺,将基板上裸露表面的Cu层和复合粘附层去除;(a8)去除光刻胶;(a9)在去胶后的基板上表面旋涂苯丙环丁烯、显影处理,光刻形成BCB介质层的介质膜通孔图形;(a10)在形成介质膜通孔图形的基板上利用超声显影方法,去除介质膜通孔图形上对应通孔柱处的显影残留,形成基板上无显影残留的薄膜通孔;(a11)对去除显影残留后的基板进行湿法腐蚀,去除对应薄膜通孔处裸露的Cu层,在线监控基板直至全部薄膜通孔内裸露出复合金属层;(a12)对去除Cu层后的基板固化BCB介质层;(a13)重复(a2)至(a12)步骤,完成基板的薄膜通孔互连。
地址 200080 上海市虹口区新港街道天宝路881号