| 发明名称 | 用于制造液晶显示装置用阵列基板的方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种用于制造液晶显示装置用阵列基板的方法，其中，使用一种蚀刻剂组合物，该蚀刻剂组合物按组合物的总重量计包含：a)5～25wt％的过氧化氢(H<sub>2</sub>O<sub>2</sub>)；b)0.1～5wt％的硫酸；c)0.01～1.0wt％的含氟化合物；d)0.1～5wt％的唑化合物；e)0.1～5wt％的咪唑化合物；以及f)其余为水。 | ||
| 申请公布号 | CN103026293B | 申请公布日期 | 2016.01.13 |
| 申请号 | CN201080068296.0 | 申请日期 | 2010.07.30 |
| 申请人 | 东友精细化工有限公司 | 发明人 | 李石;崔容硕;尹暎晋;李友兰 |
| 分类号 | G02F1/136(2006.01)I;C09K13/08(2006.01)I | 主分类号 | G02F1/136(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京派特恩知识产权代理有限公司 11270 | 代理人 | 张颖玲;徐川 |
| 主权项 | 一种制造液晶显示装置用阵列基板的方法，所述方法包括:1)使用蚀刻剂组合物蚀刻配置在基板上的铜基金属层，因此形成栅极；2)形成使所述栅极绝缘的栅绝缘层；3)在所述栅绝缘层上形成半导体层；4)形成使所述半导体层绝缘的绝缘层；5)在使所述半导体层绝缘的绝缘层上形成铜基金属层，而且使用所述蚀刻剂组合物蚀刻该铜基金属层，因此形成源极/漏极；以及6)形成电连接到所述漏极的像素电极，其中，1)和5)的所述蚀刻剂组合物按组合物的总重量计包含：a)5～25wt％的过氧化氢；b)0.1～5wt％的硫酸；c)0.01～1.0wt％的含氟化合物；d)0.1～5wt％的唑化合物，所述唑化合物选自由氨基四唑、苯并三唑、甲苯基三唑、吡唑以及吡咯组成的组中的一种或多种；e)0.1～5wt％的咪唑化合物；以及f)其余为水，所述蚀刻剂组合物不包含羧酸与磷酸盐。 | ||
| 地址 | 韩国全罗北道 | ||